简介：主要用于宽禁带半导体SiC芯片封装的界面连接工艺-纳米银烧结技术，可实现低温、高效、无损、可靠的连接结果。

参数：

最高温度：300℃

有效烧结面积：5cm*6cm

烧结过程中氮气保护

精确的压力及温度控制与监测

无氧/微氧工艺环境

自动卷膜系统

工艺应用：

DTS预烧结银焊片

碳化硅MOSFET

IGBT等大功率器件的封装